深次微米矽製程技術

深次微米矽製程技術

作者:張勁燕, 出版社:五南, 出版日期:2002-04-01

商品條碼:9789571128283, ISBN:9571128287
分類標籤:中文書 » 電腦 » 教育 » 數學 » 高等教育

 

內容簡介

深次微米矽製程技術
矽積體電路製程的特徵及尺寸縮小到深次微米(deep submicron meter),經歷幾個階段,0.35μm、0.25μm、0.18μm;有可能在不久的將來到達0.13μm、0.10μm,甚或到達極限值的0.07μm。相關的製程、設備、材料或廠務設施,都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比的乾蝕刻製程需要高密度電漿;降低阻容延遲(RC delay)使用低介電常數材料和銅製程。新製程有雙大馬士革(dual damascene)、電鍍(electroplating)、無電極電鍍(electroless plating)和/或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。奈米元件更製作出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大為12吋,為的不止是提高良率、提高機器使用率;也考慮到生產力,節省工廠面積、還要兼顧人工學(ergonomics)和減少化學藥液以利環保。
本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給想從事半導體的同學和研究生,或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老師們一項便捷的參考。
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